眾所周知，自從5nm的手機(jī)芯片集體發(fā)布后，經(jīng)過(guò)各大機(jī)構(gòu)們的評(píng)測(cè)，得出了一個(gè)結(jié)論，那就是5nm的芯片基本上是集體翻車了。
表現(xiàn)是性能增長(zhǎng)有限，但功耗增長(zhǎng)很快，發(fā)熱量大，與7nm芯片相比，似乎并沒(méi)有太大的優(yōu)勢(shì)，遠(yuǎn)不像如初10nm進(jìn)入到7nm時(shí)那么明顯。
其實(shí)為何功耗大，發(fā)熱量大，有專業(yè)人士進(jìn)行了分析，還是5nm芯片采用的技術(shù)問(wèn)題。目前5nm芯片，不管是臺(tái)積電，還是三星，采用的還是FinEFT晶體管。
但事實(shí)上，這種晶體管在7nm時(shí)就要淘汰了，要進(jìn)步到GAAEFT晶體管去，但臺(tái)積電、三星為了求穩(wěn)，在5nm芯片上繼續(xù)使用FinEFT晶體管。
這就導(dǎo)致靜態(tài)功耗過(guò)大，也就是因?yàn)楣に囂嵘?，但晶體管技術(shù)沒(méi)變，于是導(dǎo)致晶體管漏電增加，從而導(dǎo)致功耗過(guò)大。
或許也正因?yàn)槿绱?，所以三星?jì)劃在3nm時(shí)，要升級(jí)晶體管技術(shù)，采用GAAEFT晶體管，終于要把老邁的FinEFT晶體管技術(shù)淘汰掉了。
但臺(tái)積電則表示，在3nm時(shí)，將繼續(xù)使用FinEFT晶體管，這就導(dǎo)致外界對(duì)于臺(tái)積電的3nm工藝，產(chǎn)生了更多的懷疑，覺(jué)得三星或在3nm上領(lǐng)先了。
畢竟當(dāng)初臺(tái)積電可是有“臺(tái)漏電”的“美譽(yù)”的，因?yàn)榕_(tái)積電曾在28nm早期的芯片工藝上，一直沒(méi)有解決漏電問(wèn)題，導(dǎo)致芯片功耗很大，后來(lái)學(xué)了intel，使用HKMG工藝才解決這個(gè)問(wèn)題。
當(dāng)然，3nm芯片，三星究竟會(huì)不會(huì)領(lǐng)先臺(tái)積電，還不好說(shuō)。畢竟這是未來(lái)的事情，但對(duì)于三星這種敢于創(chuàng)新，使用新技術(shù)的精神，還是要鼓勵(lì)和肯定的，你覺(jué)得呢？
而對(duì)于三星礬，如果穩(wěn)打穩(wěn)進(jìn)，也確實(shí)不是臺(tái)積電的對(duì)手，只有出奇招才有可能贏，這也是三星激進(jìn)的原因。
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